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              西安紫光國芯發布新一代SeDRAM技術了嗎?你知道嗎?_環球焦點

              來源:中國商業新聞網 時間:2023-07-10 09:28:42

              最新突破!西安紫光國芯發布新一代多層陣列DRAM技術

              近日的VLSI 2023技術與電路研討會上,西安紫光國芯公開發表技術論文《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》,展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。

              本年度的VLSI會議共收到全球投稿632篇,最終錄取212篇,只有2篇來自中國內地企業,其中1篇就是西安紫光國芯的貢獻的。

              西安紫光國芯的新一代多層陣列SeDRAM,相較于上一代單層陣列結構,主要采用了低溫混合鍵合技術(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆積技術。

              這種內存的每Gbit(十億比特)由2048個數據接口組成,每個接口的數據速度都達到541Mbps,最終實現了業界領先的135 GBps/Gbit帶寬、0.66 pJ/bit能效,基于此實現了邏輯單元和DRAM陣列三維集成。

              2020年,西安紫光國芯發布了第一代SeDRAM技術,之后實現了多款產品的大規模量產,而這次發布的新一代多層陣列SeDRAM技術,實現了更小的電容電阻、更大的帶寬和容量,可廣泛應用于近存計算、大數據處理、高性能計算等領域。

              責任編輯:

              標簽: 紫光集團是國企還是央企 紫光集團旗下

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